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2SK3481
ELECTRICAL CHARACTERISTIC S (T A = 25°C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
TEST CONDITIONS
V DS = 100 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
V DS = 10 V, I D = 1 mA
V DS = 10 V, I D = 15 A
V GS = 10 V, I D = 15 A
V GS = 4.5 V, I D = 15 A
V DS = 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 50 V, I D = 15 A
V GS = 10 V
R G = 0 ?
MIN.
1.5
9
TYP.
2.0
18
40
44
2300
230
120
13
10
53
MAX.
10
± 10
2.5
50
58
UNIT
μ A
μ A
V
S
m ?
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
5.0
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Q G
Q GS
Q GD
V F(S-D)
t rr
Q rr
V DD = 80 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
I F = 30 A, V GS = 0 V
I F = 30 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
48
7.0
12
1.0
70
160
nC
nC
nC
V
ns
nC
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
R G = 25 ?
L
D.U.T.
PG.
V GS = 20 → 0 V
50 ?
V DD
PG.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
10%
0
V GS
90%
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
I D
Wave Form
I D
0 10%
90%
I D
90%
10%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
PG.
2
50 ?
V DD
Data Sheet D15063EJ1V0DS
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